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PCB八层板的叠层 1、由于差的电磁吸收能力和大的电源阻抗导致这种不是一种好的叠层方式。它的结构如下： 1.Signal1元件面、微带走线层 2.Signal2内部微带走线层，较好的走线层（X方向） 3.Ground 4.Signal3带状线走线层，较好的走线层（Y方向） 5.Signal4带状线走线层 6.Power 7.Signal5内部微带走线层 8.Signal6微带走线层 2、是第三种叠层方式的变种，由于增加了参考层，具有较好的EMI性能，各信号层的特性阻抗可以很好的控制。1.Signal1元件面、微带走线层，好的走线层 2.Ground地层，较好的电磁波吸收能力 3.Signal2带状线走线层，好的走线层 4.Power电源层，与下面的地层构成***的电磁吸收 5.Ground地层 6.Signal3带状线走线层，好的走线层 7.Power地层，具有较大的电源阻抗 8.Signal4微带走线层，好的走线层 3、比较好叠层方式，由于多层地参考平面的使用具有非常好的地磁吸收能力。 1.Signal1元件面、微带走线层，好的走线层 2.Ground地层，较好的电磁波吸收能力 3.Signal2带状线走线层，好的走线层 4.Power电源层，与下面的地层构成***的电磁吸收 5.Ground地层 6.Signal3带状线走线层，好的走线层 7.Ground地层，较好的电磁波吸收能力 8.Signal4微带走线层，好的走线层

为什么要导入类载板 类载板更契合SIP封装技术要求。SIP即系统级封装技术，根据国际半导体路线组织（ITRS ）的定义：SIP为将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，以及诸如MEMS 或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统的封装技术。实现电子整机系统的功能通常有两种途径，一种是SOC，在高度集成的单一芯片上实现电子整机系统；另一种正是SIP，使用成熟的组合或互联技术将CMOS等集成电路和电子元件集成在一个封装体内，通过各功能芯片的并行叠加实现整机功能。近年来由于半导体制程的提升愈发困难，SOC发展遭遇技术瓶颈，SIP成为电子产业新的技术潮流。苹果公司在iWatch、iPhone6、iPhone7等产品中大量使用了SIP封装，预计iPhone 8将会采用更多的SIP解决方案。构成SIP技术的要素是封装载体与组装工艺，对于SIP而言，由于系统级封装内部走线的密度非常高，普通的PCB板难以承载，而类载板更加契合密度要求，适合作为SIP的封装载体。

IC封装基板简介 IC封装基板或称IC载板，主要是作为IC载体，并提供芯片与PCB之间的讯号互联，散热通道，芯片保护。是封装中的关键部件，占封装工艺成本的35～55%。IC基板工艺的基本材料包括铜箔，树脂基板、干膜（固态光阻剂）、湿膜（液态光阻剂）、及金属材料（铜、镍、金盐）等，工艺与PCB相似，但其布线密度线宽线距、层间对位精度及材料的靠性均比PCB高。 IC封装基板发展可分为三个阶段：***阶段，1989-1999，初期发展。以日本抢先占领了世界IC封装基板绝大多数市场为特点；***阶段，2000-2003快速发展。中国台湾、韩国封装基板业开始兴起，与日本形成“三足鼎立”；第三阶段，2004年起，此阶段以FC封装基板高速发展为鲜明特点。 全球IC基板生产以日本为主，产值占60%，包括***大厂IBIDEN、SHINKO、NGK、Kyocera、Eastern等；中国台湾厂商位居***、占30%，包括NanYa、Unimicron、Kinsus、ASE等；韩国则以SEMCO、Deaduck、LG为主要生产者。基板依其材质可分为BT（BismaleimideTriacine）和ABF（AjinnomotoBuild-upFilm）两种。